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Zhuzhou Shifeng 전력 반도체

Shifeng 전력 반도체는 사이리스터, IGBTs 및 실리콘 탄화물 장치를 포함합니다. 그들의 전압, 현재, 엇바꾸기 빈도 및 열 의무는 다릅니다, 그래서 칩 자료는 포장, 문 드라이브 및 애플리케이션 시스템과 함께 자격이 되어야 합니다.

교육 및 행사

견인과 고전압 전송 수요는 Zhuzhou에서 물자, 웨이퍼, 포장 시험 및 변환기 신청과 더불어 크 힘 장치 발달을, 반복적으로 측정 모았습니다. 넓 밴드 간격 장치는 빈도와 온도 창을 확장하고 그러나 새로운 문 산화물, 기생 및 고객 자격 도전을 올립니다.

전력 반도체는 정보 비트가 아닌 견인, 그리드 및 신 에너지 시스템의 큰 전류를 제어합니다. Shifeng은 재료, 칩, 포장 및 응용 프로그램을 함께 제공하는 반면 사이리스터, IGBT 및 실리콘 탄화물 장치는 다른 구조 및 작동 창을 유지합니다. 패키지 내열성, 드라이브 및 시스템 보호는 종종 하나의 헤드 라인 매개 변수 전에 성공을 결정합니다.

핵심지리: 기질과 가공 물자, 칩 제작, 진보된 포장, 힘 단위 테스트 및 가로장 힘 전자공학 신청을 결합하는 Shifeng 지역에 있는 Tianxin 지역 사슬

전력이 웨이퍼에서 패키지를 거쳐 견인 모터로 이동

6개의 인터페이스가 스위칭 손실 및 접합 온도를 공동으로 제어하는 방법

칩 제조, 포장 및 시스템 통합은 별도의 기관에 속할 수 있으며 화살표는 지정된 조달보다는 자격 의존성을 나타냅니다.

  • 실리콘과 SiC 물자 — 크리스탈 결함과 웨이퍼 상태가 장치 시작에 들어갑니다.
  • 칩 제조 — 도핑, 에칭 및 금속화가 스위치를 만듭니다.
  • 상호 연결 및 전력 패키지 — 조인트, 본드 및 기판은 전류와 열을 전달합니다.
  • 전기와 생활 시험 — 정적, 동적 및 사이클링 테스트 화면 장치.
  • 드라이브, busbar 및 냉각 — 주변 회로는 실제 파형과 접합 온도를 설정합니다.
  • 트랙션 및 그리드 시스템 — 프로필 및 결함은 최종 판단을 완료합니다.

01 · 사이리스터는 고주파 턴오프를 쫓기 없이 높은 힘을 나릅니다

장치 구조는 그리드 및 트랙션 정류에 적합해야합니다.

사이리스터는 아주 큰 현재를 나르고 전통적인 장치는 현재 0 외부 정류를 통해 끄는 그러나, 전압을 막을 수 있습니다. 그것은 고전압 직류, 산업 개정 및 약간 견인 의무를 적응시키고 그러나 각 빠르 엇바꾸기 문제에 해결책이 아닙니다. Zhuzhou의 대권한 유산은 이 체계에서 성장했습니다, 그래서 큰 파도, 유도 손실 및 정류는 첫째로 옵니다.

정격 전압만으로 사이리스터를 선택하면 반복적인 피크, 전류 상승 및 전압 공유를 직렬 또는 병렬로 놓칠 수 있습니다. 전도 손실을 줄이기 위해 다이 영역을 확장하면 정전 용량, 비용 및 기계적 응력이 추가됩니다. 시스템이 신뢰할 수있는 정류를 제공 할 수없는 경우 강력한 장치는 여전히 끌 수 없습니다. 사이리스터는 고립된 높 현재 스위치로 보다는 오히려 벨브 구조, 냉각 및 보호에 속합니다. 시리즈 벨브에서는, 등급 저항기, 축전기 및 냉각 접촉에 있는 변이는 1 사이리스터로 전압을 몰 수 있습니다, 그래서 동등한 등급은 아직도 계속되 배급 편류의 뜨겁 국가 관측을 요구합니다.

어플리케이션 리뷰는 정상 전류, 과부하, 단락 및 정류 실패 파형을 나열하고 허용 접합 온도를 냉각수 입구 및 주변으로 변환합니다. 프로토타입 밸브는 반복된 서지 및 보호 테스트 전에 전류 공유, 전압 공유 및 열 분포를 측정합니다. 장치 로트, 클램핑 포스 및 열 인터페이스는 칩, 어셈블리 또는 제어에 오류를 할당할 수 있도록 기록됩니다.

  • 사이리스터 선택은 함께 정류, 큰 파도 및 냉각으로 시작됩니다

02 · IGBT는 중간 및 고출력 스위칭으로 게이트 제어를 제공합니다.

전도, 스위칭 및 단락 저항은 균형이 필요합니다.

IGBT는 절연 게이트를 사용하여 트랙션 컨버터, 산업용 드라이브 및 신 에너지 장비의 큰 전류를 제어합니다. 칩 구조는 동시에 상태 전압, 스위칭 테일 전류 및 단락 회로 내성을 형성하므로 모든 측정을 최적화 할 수 없습니다. Shifeng 근접성으로 칩 설계가 실제 컨버터 파형을 수신 할 수 있지만 각 프로그램은 여전히 스위칭 주파수 및 부하 프로파일을 선택합니다.

더 빠른 스위칭이 간섭과 과전압을 발생시키는 동안 더 낮은 온-스테이트 전압을 추적하면 턴오프 손실을 증가시킬 수 있습니다. 데이터 시트 조건은 고객 버스, 인덕턴스 및 게이트 저항과 다르므로 게시 된 스위칭 에너지를 추가하면 현실을 놓칠 수 있습니다. 병렬 다이는 또한 온도 계수 및 동적 공유에 직면합니다. 수용 가능한 모듈 평균 전류는 모든 다이에 동일한 열 마진을 제공하지 않습니다. 칩 사이의 게이트-루프 인덕턴스 및 이미터 연결은 스위칭 시퀀스를 변경하지만 모듈 터미널의 총 전류는 하나의 병렬 유닛에 의해 수행되는 짧은 초과를 나타낼 수 없습니다.

대상 버스 바, 커패시터 및 게이트 드라이브, 스테핑 게이트 저항으로 이중 펄스 테스트를 구축 한 다음 오버 슛, 손실 및 링을 기록 한 다음 모듈 내의 다이 온도를 비교합니다. 단락 테스트는 공칭 내구 시간을 증명하는 대신 보호 지연을 결합합니다. 최종 매개 변수는 시스템 열 모델에 들어가고 측정과 계산을 비교하는 긴 부하주기에 직면합니다.

  • IGBTs는 표적 버스, 드라이브 및 보호에서 측정되어야 합니다

03 · 기생을 확대하면서 고온 주파수를 확장하는 실리콘 카바이드

물자 이점은 포장과 드라이브가 협력한 후에만 나타납니다.

실리콘 탄화물은 더 작은 거푸집 지역 및 잠재적으로 더 낮은 엇바꾸기 손실을 가진 고전압을 취급하는 더 높은 긴요한 분야 및 더 빠른 엇바꾸기를 제안합니다. 그것은 또한 작은 포장 또는 드라이브 변화가 둥글게 되는 일으키는 원인이 될 수 있는 고주파 기생물, 문 산화물 신뢰성 및 수정같은 결점에 더 과민합니다. Shifeng는 실리콘 탄화물 장치 노선을 개발하고 있습니다, 그러나 성숙은 특정한 장치, 포장 및 신청에 아직도 속합니다.

이전 버스 바, 드라이브 및 필터를 유지하면서 실리콘 IGBT를 교체하면 SiC 속도를 오버 슈트 및 전자기 간섭으로 전환 할 수 있습니다. 링을 억제하기 위해 게이트를 크게 늦추면 효율성이 떨어집니다. 조인트, 기판 및 주변 커패시터가 낮은 한계를 가지고 있기 때문에 더 높은 허용 접합 온도도 냉각되지 않습니다. 시스템 레벨 최적화만이 실현된 이점을 결정합니다. 더 높은 전압 슬루 레이트는 모터 베어링, 센서 또는 제어 접지에 기생하는 정전용량을 통해 일반 모드 전류를 전송할 수 있으므로 시스템이 잘못 동작하면 효율이 저하됩니다.

새로운 장치는 첫째로 진짜 버스 및 짐이 소개되기 전에 조정가능한 드라이브 및 낮 기생 정착물을 가진 안전한 창을 설치합니다. 시험은 이미지 또는 구조상 견적에 의해 검사된 포장 핫스팟과 더불어 부정적인 문 편견, 밀러 효력, 단락, 눈사태 또는 큰 파도 및 고열 누설을, 포함합니다. 시스템 효율성, 볼륨 및 필터 변경은 다이 손실 감소만을보고하는 것이 아니라 함께 유지됩니다. 프로브 대역폭, 접지 리드 및 측정 지점은 먼저 알려진 펄스를 직면합니다. 그렇지 않으면 고정 장치가 과전압으로 오인되어 불필요하게 좁은 안전 창을 생성 할 수 있습니다.

  • SiC 가치는 시스템 효율성, 양 및 신뢰성을 함께 요구합니다

04 · 웨이퍼 수율은 수백 단계의 안정성에서 비롯됩니다.

재료 결함, 청결 및 공정 창이 끝에 수렴됩니다.

전력 칩 제조는 에피 택시, 리소그래피, 이식 또는 확산, 에칭, 유전체 및 금속화를 통과합니다. 입자는 쇼트 또는 누출을 일으킬 수 있으며 도핑 및 두께 변화는 종종 웨이퍼 프로브에만 나타나는 고장 및 전도를 변경합니다. Shifeng 재료와 장비를 포함 하지만 안정적인 라인은 여전히 모든 단계에서 지속적인 프로세스, 도구 및 계측 제어에 따라 달라 집니다.

최종 수율만으로는 웨이퍼 재료, 공구 또는 설계 가장자리에서 결함이 발생했는지 여부를 알 수 없으며, 단기간의 상승은 변경 된 스크리닝을 반영 할 수 있습니다. 출력을 위해 여러 로트와 단계를 함께 변경하면 제어가 제거되고 학습이 느려집니다. 개선에는 공간 결함 분포, 매개 변수 드리프트 및 공구 기록이 필요하므로 각 조정이 그럴듯한 메커니즘을 가리 킵니다.

들어오는 웨이퍼, 임계 필름, 리소그래피 결함 및 전기 파라미터를 연결하고 웨이퍼 위치 및 공구 챔버에 의해 이상을 클러스터링합니다. 공정 변경은 스케일 업 전에 정의 된 관찰 측정 및 고장 처분을 통해 많은 제어를 사용합니다. 주요 유지 보수 후, 모니터 웨이퍼는 기준선을 복원하고 계측 및 전기 동작이 모두 창으로 돌아갈 때만 제품이 재개됩니다.

  • 프로세스 변경에는 제어 로트 및 공간 결함 정보가 필요합니다.

05 · 힘 포장은 현재, 절연제, 열 및 기계적인 짐을 나릅니다

관절과 결합은 종종 사이클링 중에 약점을 드러냅니다.

전원 모듈은 고전류 연결을 위해 솔더, 소결체 또는 본드를 사용하여 절연 기판 및베이스 플레이트에 여러 개의 다이를 장착합니다. 재료는 다르게 확장되므로 반복적인 가열 및 냉각 전단 조인트, 와이어 및 인터페이스가 있습니다. YueMo는 웨이퍼 수준 및 시스템 포장 경로를 추가하며 특정 전원 모듈은 여전히 고전압 절연 및 열 순환에 직면합니다. 패키지 단면의 무효, 금속 층 두께 및 절연 간격은 열 흐름, 전류 분포 및 지역 전기장을 공동으로 변경합니다.

주기 도중 공극이 증가하는 때 낮은 처음 열저항을 가진 단위는, 정체되는 잡아당기기 통과한 유대는 현재 포복에 피로할지도 모릅니다. 평균 접속점 온도는 가장자리 거푸집과 국부적으로 합동 핫스팟을 놓칩니다. 포장 신뢰성은 물자의 계산서에서 추론될 수 없습니다; 그것은 표적 짐에서 구조, 제조 배급 및 온도 그네를 결합합니다. 전력 싸이클링 동안 점진적으로 느린 열 과도는 최종 열 저항이 실패하기 전에 솔더 또는 소결 된 인터페이스의 성장을 노출시킬 수 있으므로 모니터링 간격은 그 진화를 밝혀야합니다.

패키지 테스트는 다이 위치, 조인트 두께, 공극 및 본딩 설정을 기록하며, 전열 테스트는 각 다이에 대한 기준점을 설정합니다. 전력 사이클링은 주기적인 내열 및 전압 측정을 통해 목표 전류 및 온도 스윙을 따르고, 그 다음에는 단면 및 인터페이스 분석을 수행합니다. 변경된 기판, 솔더 또는 소결 사이클은 초기 매개 변수가 아닌 고전압, 열 및 기계적 자격을 반복합니다.

  • 목표 온도 스윙 및 인터페이스 저하를 통해 포장 수명을 측정해야 합니다.

06 · 전기 테스트는 정적, 동적 및 비정상적인 상태를 포함해야 합니다.

하나의 스위칭 결과는 장치 경계를 설명할 수 없습니다.

전력 장치는 일반적으로 차단, 누출, 전도 및 게이트 정적 테스트 후에 생산을 떠나며, 응용 프로그램 개발은 에너지 전환, 역회전, 단락 및 열 데이터가 필요합니다. 고정 인덕턴스, 전류 감지 및 온도는 동적 결과를 현저하게 변경할 수 있습니다. Shifeng 체인은 칩에서 응용 프로그램으로 확장되어 테스트 인터페이스가 의미있는 매개 변수 교환에 중요합니다. 하나의 스위칭 트레이스는 버스 전압, 예상 접합 온도 및 게이트 조건을 유지해야 하며, 그렇지 않으면 시스템 비교를 지원할 수 없습니다.

실험실의 일반적인 가치를 보장하면 로트 분배 및 최악의 조건을 무시할 수 있습니다. 스크리닝 전압을 무차별적으로 올리면 동적 결함을 발견하지 않고도 스트레스를받을 수 있습니다. 너무 많은 테스트로 인해 비용과 시간이 추가되는 반면 값 비싼 시스템으로의 전송 위험은 거의 없습니다. 건전한 계획은 실패 결과 및 공정 변화에 따라 스크리닝, 샘플링 및 유형 테스트를 분리합니다.

두 측 다 첫째로 파형 정의, 기준점, 온도 및 정착물 기생을 맞추고십시오, 그 후에 요약 가치 혼자 교환하십시오. 생산 검열 표적은 빨리 탐지가능한 결점, 동 및 생활 일 제비 표본 추출을 이용하고, 신청은 긴요한 엇바꾸기 국가를 재생합니다. 결과가 의견이 맞지 않을 때, 동일한 장치 및 구경측정 조각은 제품 원인의 앞에 위치 사이에서 토론됩니다 여행합니다. 주기적으로 측정되는 안정적인 레퍼런스 장치는 제품 드리프트를 프로브 또는 교정 드리프트와 분리하고 양측이 서로 다른 기준선에서 논쟁하는 것을 방지할 수 있습니다.

  • 동적 파라미터는 비품, 온도 및 파형 정의를 수반해야 합니다.

07 · 트랙션 및 그리드 로드 프로파일이 장치 수명을 결정합니다.

경로, 선 및 결함은 접합 온도 변화를 유지합니다.

그리드 장비 결함 전류가 도착하기 전에 꾸준히 실행할 수 있지만, 가속, coasting 및 재생 제동 사이의 레일 견인 사이클. 장치 수명은 한 정격 지점에서 시간이 아니라 시간에 따라 현재, 접합 온도 및 온도 변동을 따릅니다. 전기 시간은 필드 부하가 다시 칩 및 패키지 테스트 프로파일을 보정 할 수 있도록 시스템에 로컬 장치를 제공합니다.

지속적인 최악의 경우 테스트는 많은 작은 열 스윙에서 피로를 누락하면서 드문 스트레스를 과장 할 수 있습니다. 평균 부하 주변 설계는 언덕, 혼잡 또는 약한 그리드 뜨거운 기간을 understates. 보호 조치는 또한 결함 에너지를 변경합니다. 생활 모델은 실제 의무 통계와 제어에 의해 제한 된 이벤트와 장치에 의해 부담 사이의 명확한 분열을 필요로한다.

차량 또는 그리드 장비에서 대표적인 전류, 주변 및 냉각 데이터를 추출하여 진폭 및 카운트로 접합 온도 사이클 및 그룹으로 변환합니다. 벤치 가속은 지배적 인 손상 메커니즘을 포함하며, 제어, 냉각 및 보호 가정을 확인하는 장비 경로가 이어집니다. 현장 이상 현상은 오류 전 및 사후 파형 및 소프트웨어 수정을 유지하여 수명 프로필이 변경 될 때의 지속적인 의무와 희귀 한 사건을 구별합니다.

  • 장치 수명 테스트는 1개의 정격 점 보다는 오히려 진짜 짐 단면도에 의해 몹니다

08 · 생산 라인, 기술설계 제비 및 고객 승인은 다른 공정표입니다

기술 방향은 반복 가능한 배달을 통해서만 공급됩니다.

전력반도체 프로그램은 연구 시료, 공정 정의, 엔지니어링 로트, 신뢰성, 고객 시스템 승인 단계를 거친다. 설치된 장비는 제조 능력을 갖췄음을 뜻하고, 첫 웨이퍼나 로트가 통과했다는 것은 공정 경로가 작동할 수 있음을 보여줄 뿐이며, 어느 쪽도 지속적인 수율이나 납품을 입증하지 않는다. Shifeng은 소재, 칩, 패키징, 응용을 아우르지만 구매 시에는 여전히 특정 소자의 단계를 확인해야 한다. 고객이 같은 부품 번호 주변의 콜드플레이트, 드라이버 버전 또는 버스바를 변경하면 승인된 시스템 경계가 바뀐 것이며, 영향을 받는 부하에 따라 보완 시험이 이어진다.

계획된 규모를 현재 공급으로 전환하면 램프 결함, 재료 자격 및 고객 검증이 무시되지만 모든 새로운 프로젝트를 제외하면 안정적인 등급을 놓칠 수 있습니다. 성숙은 하나의 회사 라벨이 아니라 다이 수정, 패키지 및 응용 프로그램의 조합입니다. 견인이 승인 된 모듈은 자동으로 저장 또는 자동차 사용에서 동등한 승인을받지 못합니다.

Engagement는 민감한 수율 공개를 요구하지 않고 장치 유형, 웨이퍼 및 패키지 개정, 완료된 테스트, 나머지 게이트 및 제공 가능한 볼륨을 나열합니다. 초기 응용 프로그램은 추적 가능한 소량을 사용하고 스위칭, 열 및 결함 이벤트를 반환합니다. 제조, 중요 물질 또는 레이아웃 변경은 영향에 따라 테스트를받으므로 상업적 규모는 판촉 일정이 아닌 기술적 증거를 따릅니다. 최초의 고객 설치는 콜드 스타트, 정격 부하 및 보호 이벤트를 통과하며, 반환된 파형은 개별 장치 일련 번호에 연결됩니다.

  • 성숙도는 특정 장치 수정, 패키지 및 응용 프로그램에 속함

소스 및 읽기 노트

장치 비교는 막는 전압, 동작 전류, 엇바꾸기 빈도, 접합 온도, 큰 파도 또는 단락 의무 및 생활 단면도를 이용합니다. 벌거벗은 것은, 분리되는 장치, 단위 및 변환기는 명백한 수준, 것과 같이 실험실 표본, 기술설계 제비 및 고객 승인입니다. 새로운 선은 안정되어 있는 과정 및 신청 자격 후에서만 공급이 됩니다.

  • Shifeng 전력 반도체는 2025 년 국가 특유의 클러스터 목록에 진입했습니다.
  • 지방 재료는 재료 및 장비에서 칩, 장치 및 응용 분야에 이르는 체인을 설명합니다.
  • 지역 산업은 사이리스터, IGBT 및 실리콘 탄화물 방향에 걸쳐 있습니다.
  • YueMo는 웨이퍼 수준 및 시스템 패키지 기능을 게시합니다.

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