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Xiangcheng 탄소 실리콘 물자

Xiangcheng 탄소 - 실리콘 재료는 하나의 라인이 아닙니다. 실란과 태양 광 경로는 가스 순도, 입자 및 전기 성능에 초점을 맞추고 바늘 코크스와 양극은 재, 질감 및 리튬 삽입에 초점을 맞 춥니 다. 독성 인화성 가스, 먼지, 열 및 폐수도 다른 제어가 필요하며 계획, 설계, 시험 및 안정적인 생산은 별개입니다.

교육 및 행사

Xiangcheng의 석탄 화학 전환은 실란, 태양 광 유리, 셀 및 모듈, 니들 코크스 및 양극 프로젝트를 개발하여 실리콘 및 탄소 지점을 한 지역에 배치했습니다. Silane Technology, Pingmei LONGi 및 Ancai PV는 가스 재료, 셀 제조 및 태양 광 유리 단계를 각각 차지합니다.

전자 실란은 불순물과 입자를 추적하는 반면, 바늘 코크는 질감과 처리를 통해 양극 또는 흑연 전극으로 들어갑니다. 그들은 공정이나 수용이 아닌 공원 유틸리티를 공유합니다. 하나의 새로운 에너지 체인을 호출하면 가장 중요한 안전 및 성능 차이가 지워집니다.

핵심지리: 실리콘, 폴리실리콘, 광전지, 모듈, 유리를 실리콘 및 탄소 경로에 걸쳐 바늘 코크 및 양극 재료로 결합한 Xiangcheng 고급 제조 영역

Xiangcheng 실리콘과 탄소 물자 지도

어떤 성능 한계점을 넘었는지

경로는 유틸리티 및 환경 관리에서만 충족됩니다. 재료 제비, 성능 측정 및 프로젝트 상태는 별도로 유지됩니다.

  • 실란 합성 및 정제 — 실란 합성, 정제 및 추적 분석은 누출 위험에 대한 고순도 가스 경로를 제공합니다.
  • 웨이퍼, 셀 및 모듈 — 크리스탈, 웨이퍼, 셀 및 모듈 스테이지는 결함, 두께, 전류 경로 및 패키지 신뢰성을 순차적으로 해결합니다.
  • 지금 연락 — 광전지 유리는 녹고, 구르고, 입히고 부드럽게 하기를 통해 전송 그리고 기계적인 보호를 얻습니다.
  • 바늘 코크와 calcination — 니들-코크 피드, 석회화 및 텍스처는 나중에 그래프화 및 확장 행동에 영향을 미칩니다.
  • 양극 분말 가공 — 양극 분말 크기, 모양, 코팅 및 탭 밀도는 함께 전극 처리 및 사이클링에 영향을 미칩니다.
  • 유틸리티 및 환경 제어 — 가스, 전력, 열, 수질 및 배기가스 처리는 두 가지 재료 경로에 걸쳐 제품 결론을 병합하지 않고 공원 인터페이스를 공유합니다.

01 · 실란은 고순도 가스에서 가치와 위험 모두를 유도합니다.

추적 불순물은 증착 및 전기 행동에 영향을 미칩니다.

Xiangcheng에 있는 전자 급료 실란의 가치 그리고 위험은 동일한 높게 민감하는 가스에서 일어납니다. 콘테이너와 배관이 하류 공술서로 그 순수성을 나르는 그러나, 반응, 증류법, 흡착 및 청결한 이동은 자취 불순, 입자 및 습기를 결정합니다. 가스 이름 또는 프로젝트 가늠자는 급료를 확인하지 않습니다. 컨테이너 번호, 충전 압력 및 분석은 의도 된 용도에 특정 요금을 연결합니다. 실란은 인화성 및 독성이 있기 때문에 감지, 격리, 이너팅 및 포함 된 전송은 안정적인 적용을위한 전제 조건입니다.

금속, 습기 또는 입자를 추적하면 필름 증착 및 전기적 동작을 방해할 수 있으며, 누출로 인해 품질이 직접 화재 및 독성 노출로 전환됩니다. 채우기 전에 한 번의 대량 시료가 용기 또는 밸브의 죽은 다리 사이의 오염을 놓칠 수 있습니다. 인터록 검사가 없는 순도 테스트는 이송 제어에 대해 아무것도 알려주지 않습니다. 고순도 가스는 샘플링 시스템 자체에 민감합니다. 부적절하게 제거된 라인은 잘못된 불순물을 도입하여 결과가 제품 또는 샘플링 경로에 속하는지 여부를 알 수 없습니다.

각 번호가 매겨진 컨테이너는 중요한 불순물, 수분 및 입자에 대한 제거 시스템을 통해 샘플링되며 압력 및 충전 로트가 유지됩니다. 대상 증착 도구에 연결되기 전에 누출 검사가 완료되고 가스 감지, 자동 격리, inerting 및 비상 배기 인터록이 개별적으로 트리거됩니다. 결과가 비정상적 일 때, 컨테이너가 분리되고 샘플링 경로가 검사됩니다. 1개의 배는 전체적인 제비를 대표하지 않습니다. 변화된 급료, 포장 또는 이동 공용영역은 다시 확인되는 순수성과 안전 둘 다 내부고정기를 요구합니다.

  • 인화성 독성 특성은 격리 및 인터록을 필요로 합니다.

02 · 폴리실리콘의 순도는 결정 성장 결함에서 살아남아야 한다.

금속, 탄소-산소 및 입자는 다른 실패 경로에 들어갑니다.

고순도 실리콘이 퇴적 반응기를 떠난 후, 열림, 분쇄, 선별 및 포장은 모든 접촉면에서 금속 또는 입자를 다시 도입 할 수 있습니다. 금속, 탄소 및 산소, 크기 분포, 표면 오염 및 포장 식별은 다른 문제를 설명하며, 하나의 화학 분석은 많은 경우 균일성을 나타낼 수 없습니다. 결정 성장에 대한 적합성은 또한 결정의 불순물 행동에 달려 있으므로 실리콘 분석은 패키지 로트 및 다운스트림 결정 결함과의 연결이 필요합니다.

반응기 개방 도구 또는 분쇄 장비의 잔류 물에서 착용하면 지역 금속 입자가 도입 될 수 있습니다. 이러한 입자는 대량 평균 내에서 사라지는 동안 결정 성장 후 재조합 센터가 될 수 있습니다. 또한 패키지를 혼합하면 결함이 발생한 후 영향을받는 범위를 찾기가 어렵습니다. 계획된 용량 및 원자로 수는 자격을 갖춘 공급 원료가 아닌 건설 규모를 설명합니다. 시험 작업은 여전히 깨끗한 취급 및 분류를 조정하고 있습니다. 설계 된 기능을 현재 품질로 처리 하는 것은 확립 된 로트 안정성의 부재를 숨 깁니다.

샘플링은 원자로의 위치와 열림 순서로 나누어지며, 금속 오염과 입자 크기는 분쇄 전과 후에 검사되고 패키지 번호는 원래 영역을 유지합니다. 몇몇 패키지는 대표적인 결정 성장 또는 하류 시험에 들어가므로 크리스탈 결함은 들어오는 평균에만 의존하지 않고 비교할 수 있습니다. 한 위치가 비정상인 경우 도구, 환경 및 청소를 검사하는 동안 관련 패키지만 유지됩니다. 새로운 원자로, 분쇄 장비 또는 포장은 신선한 청결 기준을 요구하고, 계획한 기능은 안정되어 있는 제비가 존재하기 전에 생산 성과가 되지 않습니다.

  • 하나의 화학 분석은 많은 균일성을 포함하지 않습니다.

03 · 웨이퍼는 크리스탈 품질을 두께와 표면으로 변환합니다.

손상 및 워프 세포 처리에 영향을 보았다.

광전지 웨이퍼는 주괴 질을 간격, 날실 및 표면 상태로 돌립니다. 주괴 오리엔테이션, 다이아몬드 철사 저미고는, 청소 및 분류는 공동으로 1개의 주괴 내의 총 간격 변이, 톱날, 가장자리 칩 및 기계적인 힘 및 머리 및 꼬리 위치를 다를지도 모릅니다 결정합니다. ▁Thin게 하는 것은 물자 사용을 감소시키고 또한 취급 그리고 세포 처리를 위한 기계적인 여백을 좁힙니다. 따라서 두께는 파손과 강도 없이 평가할 수 없으며, 변경된 웨이퍼 포맷은 해당 슬라이스 장력과 지지력을 필요로 합니다.

공격적인 얇아짐은 적재된 표면에 더 가까운 잔여 저미는 손상을 가져와, 날실 또는 microcracks가 진공 취급 도중 파손과 나중에 난방이 되는 것을 허용하. 약간 중앙 웨이퍼를 측정하는 것은 주괴 끝에 또는 철사 변화의 주위에 편류를 놓칠 수 있습니다. 다른 체재 및 간격은 일치하지 않는 철사 속도, 급식 및 새로운 표를 만드는 냉각 없이 1개의 저미는 창을 공유할 수 없습니다. 평균 파손 비율은 또한 일관되게 더 나쁜 남아 있는 1개의 주괴 위치를 숨길 수 있습니다.

웨이퍼는 주괴에 있는 축 위치에 의해, 지속적으로 측정된 간격 및 총 변이 및 날실, 톱날, 칩 및 기계적인 힘을 위해 검사된 머리, 중간 및 꼬리 표본 분류됩니다. 동일한 위치 그룹은 세포 선 예심 도중 남아 있습니다 그래서 파손과 가공 수확량을 취급하는 것은 하류 장비에서 저미는 구별할 수 있습니다. 두께, 형식 또는 다이아몬드 와이어의 변화는 다시 확인 될 긴장, 피드 및 냉각이 필요합니다. 씬닝은 대상 형상과 다운 스트림 파손이 모두 제어되는 경우에만 실질적으로 유용합니다.

  • 얇아지는 것은 파손과 힘으로 읽혀집니다.

04 · 셀 효율은 웨이퍼의 전류 경로에 따라 달라집니다.

지역 오염, 패시베이션 및 금속화 결함은 어두운 영역을 떠납니다.

텍스처링, 확산, 패시베이션, 금속 화 및 발사는 실리콘 웨이퍼를 광전지로 변환하며, 모든 국소 오염 또는 접촉 결함은 현재 경로를 변경합니다. 효율성, 개방 회로 전압, 시리즈 및 션트 저항은 전체 출력을 설명하는 반면, 전기 발광은 어두운 영역, 균열 및 그리드 라인 이상을 나타냅니다. 많은 경우 평균 효율이 높지만 모듈 불일치를 일으키는 낮은 가치의 꼬리를 유지할 수 있습니다. 따라서 분포 모양과 이미지 결함은 하나의 평균으로 축소되지 않고 함께 고려해야합니다.

스크린 오정렬은 음영 또는 중단 된 손가락을 추가하는 반면, 패시베이션 핀홀은 국소 재조합을 증가시킵니다. 두 개는 전기 발광에 다른 어두운 패턴을 남길 수 있습니다. 평균 효율만으로 결합하면 낮거나 균열 된 셀을 동일한 클래스에 배치하고 나중에 핫스팟 위험을 초래할 수 있습니다. 프로젝트 설계 용량은 현재 효율 분포 또는 결함 비율이 아닌 장비 구성을 나타냅니다. 프로세스 튜닝 중에 센터와 테일이 모두 이동할 수 있으므로 용량 수치는 실제 로트 성능을 대체 할 수 없습니다.

효율성, 전압 및 저항은 낮거나 특이한 가치의 배급 꼬리 그리고 electroluminescence 검토를 위한 방아쇠와 더불어 제비에 의해, 도표로 만듭니다. 이미지 본은 텍스쳐링, 패시베이션 또는 인쇄 단계에 연결됩니다. Binning는 단위 신뢰성에 영향을 미칠지도 모르다 뿐만 아니라 힘 그러나 국부적으로 결점을 고려합니다. 변화된 스크린, 풀, 발포 단면도 또는 웨이퍼 체재는 완전한 배급을 오래된 평균을 상속 보다는 오히려 다시 관찰되는 자극합니다. 단위 집합의 앞에, 각 세포는 정의한 성과 종류 및 결점 통제 상태를 비치하고 있습니다.

  • 평균 효율은 분포 꼬리를 숨길 수 없습니다.

05 · 광전지 유리는 전달하고, 나르고 극복해야 합니다

철, 질감과 템퍼링은 모듈에 영향을 미칩니다.

광전지 유리는 빛을 전달하고 또한 박판, 취급 및 옥외 바람 또는 눈을 살아나야 합니다. 배치에 있는 철은 투과율에 영향을 미칩니다. 녹고는 및 형성은 거품, 돌 및 waviness를 창조합니다. 그 때 입히고 부드럽게 하는 것은 표면과 긴장을 바꿉니다. 센터에 1개의 광학적인 독서는 가득 차있는 장을 대표할 수 없습니다. 간격, 투과율, waviness, 성미 긴장 및 지상 결점은 판의 맞은편에 지도로 나타내기 필요로 합니다. 정규적인 건물 유리는 다른 조건을 봉사하고 직접 단위 캡슐에 넣기와 긴 옥외 노출을 커버할 수 없습니다.

돌과 거품은 고르지 못한 성미는 취급 도중 또는 박판 후에 파손을 일으키는 원인이 될 수 있는 그러나, 광학적인 손실 및 국부적으로 긴장을 창조합니다. Waviness는 단위에 있는 미묘한 그러나 변화 광학적인 연결일지도 모릅니다. 평균 투과율은 가장자리 출발, 밴드 및 입히는 nonuniformity를 지웁니다. 건축 유리에서 충격 결과를 대체하는 것은 또한 박판 온도, 가장자리 처리 및 길 내구 선적을 묵살합니다. 체재를 위해 디자인된 선은 각 현재 장이 그 성과를 도달한다는 것을 설치하지 않습니다.

투과율, 간격 및 waviness는 몇몇 판 위치에 측정되고, 성미 긴장은 적합한 광학적인 방법에 의해 관찰되고, 돌, 거품, 찰상 및 가장자리는 기록됩니다. 대표 장은 광학 적이고 또는 짐 방위 성과가 희생되지 않았다는 것을 확인하는 기계 및 환경 검사를 위한 실제적인 박층으로 이루어지는 건축에 들어갑니다. 배치, 코팅, 템퍼링 용광로 또는 게이지의 변경에는 새로운 속성 맵과 영향 조건이 필요합니다. 유리가 모듈 캡슐화 후 전송 및 구조 무결성을 보존 할 때 피트니스가 설정됩니다.

  • 투과율은 기계적 안전과 분리 될 수 없습니다.

06 · 니들 코크스 값은 지향성 탄소 텍스처에있다.

향기, 코크스 및 석회화 모양 짜임새를 먹이십시오.

바늘 코크스의 가치는 정규적인 코크의 총생산량에서 아닙니다 동쪽으로 향하게 한 탄소 짜임새에서 속입니다. 석탄 타르 급식, 전처리, 지연된 코크스 및 석회화에 있는 향기로운 특성 그리고 불순은 공동으로 숨구멍, 진실한 조밀도 및 짜임새를 형성합니다. 애쉬, 유황, 열팽창 및 입자 형태는 전극 또는 양극 경로의 처리 및 서비스에 영향을 미치며, 그 중 어느 것도 수율만으로 설명되지 않습니다.

급식 변이는 고르지못한 석회화 온도 또는 거주 시간이 진실한 조밀도 및 짜임새를 뿌리고는 그리고 나중에 graphitisation 도중 다른 확장을 창조하는 수 있는 동안, 중간 단계 발달을 바꿉니다. 자격이 된 바늘 코크로 연료 코크를 세는 것은 오리엔테이션 구조 없이 양을 큰 것처럼 보입니다. 코크 드럼의 단지 표면을 간색하는 것은 센터와 바닥 변이 놓칠 수 있습니다. 유사하게 보이는 입자는 재, 유황 및 광학 텍스처가 동일한 적용을 충족 함을 보여주지 않습니다.

그린 코크는 드럼과 위치에 의해 샘플링되며, 해당 식별은 석회화 후에 유지됩니다. 애쉬, 유황, 진정한 밀도 및 열팽창을 측정하고 광학 텍스처는 방향을 보여줍니다. 대표 로트는 분쇄, 그래피 타이션 및 최종 성능을 연결하기 위해 의도 된 전극 또는 양극 공정을 입력합니다. 피드 소스 또는 소각 주기의 변경으로 인해 구조물은 역사적인 수율에 의존하기보다는 다시 비교되어야 합니다. 출력은 코크가 지정된 경로에서 일관되게 동작할 때만 응용 프로그램에 대한 자격이 부여됩니다.

  • Yield는 확장 또는 재를 설명하지 않습니다.

07 · 양극 분말 균형 입자 크기 및 표면

너무 미세한 측면 반응; 너무 거친 제한 속도.

탄소 양극 분말은 분쇄, 형성, 분류, 정화, 코팅 및 열처리를 통과하며, 최종 행동은 내부 구조와 표면 인터페이스에 의해 설정됩니다. 입자 분포, 표면적 및 탭 밀도는 슬러리 처리 및 전극 압축에 영향을 미치며, 첫 번째 사이클 효율과 사이클링에는 전기 화학 시스템이 필요합니다. 과도한 벌금은 측면 반응을 증가시키고 거친 입자는 수송을 제한하므로 중간 크기는 광범위한 분포를 설명하거나 금속 오염 및 표면 상태를 대체하지 않습니다.

분류기 편류는 점차적으로 벌금 분수를 올리고 슬러리 점성과 첫번째 주기 효율성을 바꿀 수 있습니다. 장비 착용에 의해 소개된 금속은 또한 자체 방전 또는 안전 관심사를 창조할지도 모릅니다. 주의깊게 취급된 실험실 표본은 자동적으로 확장된 생산에 있는 균등성을 대표하지 않습니다. 동전 세포는 물자를 빨리 비교하고 그러나 정립, 압축 및 전해질에 있는 표적 세포와 다릅니다. 재료 시트에서 하나의 그림을 읽는 것은 가공을 놓칠 수 있으며 장기간의 사이클링은 반대 방향으로 움직일 수 있습니다.

일단 분류 조건이 안정하면, 제비는 로트 변화 결정에서 포함되는 장비 착용과 더불어 완전한 크기 배급, 표면, 꼭지 조밀도 및 금속 오염을 위해 닫히고 시험됩니다. 대표 분말은 조정 동전 세포 체계에서 첫째로 비교되고 첫번째 주기 효율성, 수용량 및 순환을 위한 표적 정립 그리고 전극 압축에 그 후에 들어갑니다. 이전 코팅, 열처리 또는 분류 설정으로 인한 셀 결과. 입자 크기 및 표면은 슬러리 처리 및 대상 순환이 만족스러운 경우에만 균형을 유지합니다.

  • 물질 수치는 세포에서 확인이 필요합니다.

08 · 유틸리티는 하나의 공원에 두 가지 물질적 위험을 초래합니다.

가스, 먼지, 열, 에너지 및 폐수는 서로 다른 제어가 필요합니다.

Xiangcheng의 실리콘 및 탄소 경로는 공원 전력, 증기, 불활성 가스, 오프 가스 처리, 먼지 수집 및 물 시스템을 공유하지만 위험이 다릅니다. 실란은 가연성 독성 가스에 대한 봉쇄 및 인터록을 필요로하며, 양극 분말은 먼지와 금속 오염을 가져오고, 광전지 유리 또는 바늘 코크는 고온, 에너지 및 배출 부하를 추가합니다. 유틸리티 용량은 동시 프로세스 피크 및 사고 시나리오를 따라야합니다. 물리적 근접성만으로는 회사 간의 물질적 거래 또는 순환 사용 관계를 수립하지 않습니다.

각 라인은 그 자체로 정상일 수 있으며, 동시에 피크는 공원의 전력 마진, 불활성화 또는 오프 가스 처리를 초과할 수 있습니다. 부정확한 호환성은 더욱 위험합니다. 한 처리 경로로 분리되어 있어야 하는 라우팅 스트림은 로컬 오류를 시스템 이벤트로 바꿀 수 있습니다. 설계 평균에서 계산하면 시작, 변경, 청소 및 비상 방전이 누락됩니다. 실제 흐름, 품질 및 수신 조건이없는 청구 된 순환 관계는 또한 운영 루프에 대한 계획된 연결을 실수합니다.

공원은 정상적인 최고봉 가동, 1 선 폐쇄, 실용적인 실패 및 사고 고립을 따로따로 평가해, 힘, 증기, 비활성 기체, 저장, 떨어져 가스 및 물 처리에 있는 잔여 수용량을 검사하. 통합 교련은 벨브 고립, 대기 변경, 경보 이동 및 철수를 증명합니다 그래서 1개의 선의 변칙은 공유 시스템을 통해서 여행하지 않습니다. 부산물이 진정으로 재사용되는 곳에서 로트 아이덴티티, 사양 및 실제 전송 수량은 그 경계를 정의합니다. 새로운 프로젝트 또는 변경 된 프로세스 부하는 호환성 및 용량 분석을 반복해야합니다.

  • 순환적 관계는 실제적인 물질 흐름의 증거를 필요로 한다.

소스 및 읽기 노트

실리콘 및 탄소 경로는 각각 공급 원료, 공정, 로트 및 다운스트림 사용을 따릅니다. 순도, 질감, 전기적 성능, 안전 및 환경 부하는 자체 측정을 사용합니다. 지역 프로젝트 수치는 설계 기능을 현재 출력으로 전환하지 않고 상태와 날짜를 유지합니다.

  • 이 클러스터에는 광산, 코크스 연료 및 모든 Xuchang 새로운 에너지를 제외한 실리콘 및 탄소 물질 경로가 포함되어 있습니다.
  • 계획, 설계, 건설, 시험 및 생산 상태는 별개로 유지되며 프로젝트 이름은 현재 공급이 아닙니다.
  • 가스 순도, 태양광 성능, 바늘-코크 질감 및 양극 lithiation 다른 측정 시스템에 속한다.
  • 실란, 분말, 고온 및 폐수는 다른 안전 및 환경 통제를 필요로 합니다; 지역 순환은 조달을 증명하지 않습니다.

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